英特尔在 IEDM 2025 放出关键技术：AI 芯片供电瓶颈迎来突破

在 2025 年 IEEE 国际电子器件大会（IEDM 2025） 上，英特尔代工（Intel Foundry） 公布了一项面向 AI 时代系统级芯片（SoC） 的关键技术进展——下一代嵌入式去耦电容器。

该技术针对先进制程下晶体管持续微缩所引发的 供电不稳定与功率传输受限问题，通过新型材料与结构设计，为 AI 芯片和高性能计算芯片 提供更稳定、更高效的电源解决方案。

英特尔展示了三种用于深沟槽 MIM 电容 的新材料，包括 铁电铪锆氧化物（HfZrO）、二氧化钛（TiO₂） 和 钛酸锶（SrTiO₃），并结合 ALD 原子层沉积工艺，在提升电容密度的同时显著降低漏电水平。

数据显示，该技术的 电容密度可达 60–98 fF/μm²，漏电性能较行业目标 低 1000 倍，且不影响击穿电压与长期可靠性。
这一突破有望提升 AI 芯片的 电源完整性、热管理能力与芯片面积利用率，为下一代先进 CMOS 工艺和高功率 AI 计算提供关键支撑。